在實際測量時，通常采用He-Ne激光作為光源，波長λ=632.8 nin.磁光介質(zhì)樣品安放在電磁鐵建立的磁場之中，磁場的磁感應強度為4 000 Gs左右.在此條件下，通過偏振分析器可順利地分析出磁光克爾轉角θk的大小，如果測量時光信號十分微弱，采用鎖相放大器可大大提高測量的精﹡度。

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磁光介質(zhì)材料極其θk的大小

 隨著磁光信息存儲技術的發(fā)展，目前已經(jīng)開發(fā)出多種磁光介質(zhì)材料.在這些材料中比較優(yōu)﹡的有:非晶態(tài)稀土一過渡金屬合金材料(例如Fe-co)、非晶態(tài)錳鉍鋁硅(MnBiA1Si)合金材料和非晶態(tài)錳鉍稀土(MnBiRE)合金材料等。這些材料通常是采用真空蒸鍍、磁控濺射等方法將合金材料沉積于玻璃基底上，磁光薄膜的厚度一般在幾百納米左右。為了提高材料的磁光性能，采取多層膜技術十分有效.磁光克爾轉角一般并不大，以鋱鐵鈷(1bFeco)合金薄膜材料為例，在室溫下其磁光克爾轉角僅為0.3L右。MnBiA1Si的磁光克爾轉角可達2.04。如果僅考慮磁光克爾轉角的大小，采用簡單工藝制備的MnBi合金薄膜的磁光克爾轉角達到1.6。左右并不困難.當然，在實際制造磁光盤時，除了考慮磁光克爾轉角這一性能外，還需要綜合考慮其他性能.目前市場上做成磁光盤產(chǎn)品的磁光介質(zhì)以鋱鐵鈷(1bFeco)合金薄膜材料為主。

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